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基于VirtualLab Fusion的原子光刻基片定位方案的光學(xué)系統(tǒng)仿真

摘要：為了探究原子光刻中基片與會聚激光場間距對沉積納米光柵質(zhì)量的影響，我們基于VirtualLab Fusion平臺實(shí)現(xiàn)了基片定位控制方案中光學(xué)系統(tǒng)的建模和仿真。結(jié)果顯示：基片在切割會聚激光時(shí)將產(chǎn)生直邊衍射圖像，其輪廓形狀和最大值都會隨著基片切割激光截面區(qū)域大小的變化而變化：虛擬光電探測器上所得到的反射光強(qiáng)度值將隨著基片－會聚激光間距的變化給出了倒置的高斯線型，其最低點(diǎn)出現(xiàn)在基片中心和會聚激光場軸線重合時(shí)的位置上。當(dāng)會聚激光場截面恰好被基片阻擋一半時(shí)，探測處的強(qiáng)度值降至45.5%。這種光強(qiáng)隨基片位置的變化情況為精確地定位基片位置提供了理論支撐。

關(guān)鍵詞：原子光刻；鉻原子；會聚激光；VirtualLab Fusion平臺