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OptiBPM:創(chuàng)建一個多模干涉星型耦合器
時間:2021-04-21 21:54來源:訊技光電作者: 技術(shù)部點擊:次打印
在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM創(chuàng)建項目的基本程序:
生成材料
插入波導(dǎo)和輸入平面
編輯波導(dǎo)和輸入平面的參數(shù)
運行仿真
選擇輸出數(shù)據(jù)文件
運行仿真
在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果和各種數(shù)值工具
 
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基礎(chǔ)上,對仿真過程進行了簡化描述。如果需要更多細節(jié)信息,可參閱之前課程中提供的操作。
 
本課程描述了如何創(chuàng)建一個MMI星型耦合器。該星型耦合器是對簡單MMI耦合器(教程2:創(chuàng)建一個簡單多模干涉星型(下文簡稱為MMI)耦合器)的進一步改進。它是由一個輸入波導(dǎo)、一個MMI耦合器以及四個輸出波導(dǎo)組成。步驟如下:
定義MMI星型耦合器的材料
定義布局設(shè)置
創(chuàng)建MMI星形耦合器
運行模擬
查看最大值
繪制輸出波導(dǎo)
為輸出波導(dǎo)分配路徑
在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果
添加輸出波導(dǎo)并查看新的仿真結(jié)果
在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真結(jié)果
1. 定義MMI星型耦合器的材料
要定義單向彎曲器件的材料,請執(zhí)行以下步驟。
步驟 操作
1) 創(chuàng)建一個介電材料:
名稱:guide
相對折射率(Re):3.3
2) 創(chuàng)建第二個介電材料
名稱: cladding
相對折射率(Re):3.27
3) 點擊保存來存儲材料
4) 創(chuàng)建以下通道:
名稱:channel
二維剖面定義材料: guide
5 點擊保存來存儲材料。
 
2. 定義布局設(shè)置
要定義布局設(shè)置,請執(zhí)行以下步驟。
步驟 操作
1) 鍵入以下設(shè)置。
a. Waveguide屬性:
寬度:2.8
配置文件:channel
b. Wafer尺寸:
長度:1420
寬度:60
c. 2D晶圓屬性:
材質(zhì):cladding
2) 點擊OK,將此設(shè)置應(yīng)用到布局中。
 
3. 創(chuàng)建一個MMI星型耦合器
由于MMI星形耦合器中有四個輸出通道,因此需要找到在教程2(教程2:創(chuàng)建一個簡單的MMI耦合器)中的簡單MMI耦合器所產(chǎn)生的四個最大強度的位置。 如教程2中所述,這個位置在MMI耦合器中的第二個波導(dǎo)大約1180-1210μm的地方。
要創(chuàng)建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相關(guān)耦合器長度,請執(zhí)行以下步驟。
步驟 操作
1) 繪制和編輯第一個波導(dǎo)
a. 起始偏移量:
水平:0
垂直:0
b. 終止偏移:
水平:100
垂直:0
2) 繪制和編輯第二個波導(dǎo)
a. 起始偏移量:
水平:100
垂直:0
b. 終止偏移:
水平:1420
垂直:0
c. 寬:48 
3) 單擊OK,應(yīng)用這些設(shè)置。
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